特許
J-GLOBAL ID:200903066537356797
イオン発生装置
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-136624
公開番号(公開出願番号):特開2003-326756
出願日: 2002年05月13日
公開日(公表日): 2003年11月19日
要約:
【要約】【課題】選択的なイオン発生を従来よりも低電圧で制御し、低価格で、可及的に小型なイオン発生装置と画像形成装置を提供すること。【解決手段】選択的にイオンを発生させるイオン発生装置において、イオンの発生制御を放電電極部の温度制御により行うもので、誘電体を間に介して放電電極と誘導電極を配設し、前記放電電極に対応して発熱素子を設け、前記放電電極の温度を制御し、前記放電電極と前記誘導電極間に適切な高電圧を印加し、前記放電電極の放電を前記発熱素子の加熱により制御する構成とするもので、前記放電電極の放電から生成されるイオンの発生の有無を発熱素子の加熱制御による低電圧で制御することができ、低価格で、可及的に小型なイオン発生装置を提供する
請求項(抜粋):
選択的にイオンを発生させるイオン発生装置において、イオンの発生制御を放電電極部の温度制御により行うことを特徴とするイオン発生装置。
IPC (3件):
B41J 2/415
, G03G 15/05
, H01T 19/00
FI (3件):
H01T 19/00
, B41J 3/18 101
, G03G 15/00 115
Fターム (17件):
2C162AE21
, 2C162AE25
, 2C162AE29
, 2C162AE52
, 2C162AE61
, 2C162AF16
, 2C162AF23
, 2C162AF29
, 2C162DA10
, 2H029AA01
, 2H029AB03
, 2H029AB08
, 2H029AB12
, 2H029AD06
, 2H029AD09
, 2H029CC01
, 2H029DA05
引用特許:
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