特許

J-GLOBAL ID：200903066539089281

半導体処理装置

発明者： 駒 保宏 ,  米田 征司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103882
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306603
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 ウエハの面内の温度を均一にする。【構成】 真空容器4の圧力を圧力制御手段8で制御して、真空容器4内に開口した試料台9のガス封入部9aをウエハ11で閉塞し、試料台9の温度を温度制御手段15で制御して、ガス封入部9aに真空容器4内の圧力より低い圧力の熱伝導性の良いガスをガス供給手段20で供給する。これにより、真空容器4内とガス封入部9a内との圧力差でウエハ11を試料台9に固定し、ガス封入部9aに封入した熱伝導性の良いガスを介してウエハの面内の温度を均一にすることができる。

請求項（抜粋）：

真空容器と、この真空容器にガスを供給し圧力を制御する圧力制御手段と、上記真空容器内に開口したガス封入部を有し上記ガス封入部と上記真空容器の内部とをウエハで閉塞可能な試料台と、この試料台の温度を制御する温度制御手段と、上記試料台の上記ガス封入部に上記真空容器内の圧力より低い圧力の熱伝導性の良いガスを供給するガス供給手段とを備えた半導体処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/324

FI (2件)：

H01L 21/30 567 ,  H01L 21/324 M