特許

J-GLOBAL ID：200903066545825038

3族窒化物半導体の電極形成方法

発明者： 柴田 直樹 ,  上村 俊也 ,  浅井 誠 ,  梅崎 潤一 ,  小澤 隆弘 ,  森 朋彦 ,  大脇 健史
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135515
出願日： 1996年11月02日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【目的】p伝導形3族窒化物半導体に対する電極において、オーミック性の改善、低抵抗化、接合強度の向上を図る。【構成】p+ 層7の表面上に、ニッケル(Ni)層、その上に金(Au)層を形成して、酸素ガスの存在する雰囲気中において熱処理することで、深さ方向の元素の分布を反転させて、表面側からニッケル(Ni)、金(Au)の順に元素が存在するように構成させた。そのことにより、電極はより低抵抗で且つオーミック性が向上し、しかも、接合強度の高いものとなった。

請求項（抜粋）：

p伝導型3族窒化物から成る半導体の電極の形成方法において、前記半導体の表面上にニッケル(Ni)電極層と金(Au)電極層を順次形成し、酸素(O2)存在下で熱処理を行うことを特徴とするp伝導型3族窒化物半導体の電極形成方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子、半導体発光素子の電極および半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-299072   出願人：株式会社東芝