特許

J-GLOBAL ID：200903066553584295

ウェーハ冷却装置

発明者： 長澤 亨 ,  後地 勇
出願人/特許権者： ニチデン機械株式会社 ,  伯東株式会社
代理人 (1件)： 江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316735
公開番号（公開出願番号）：特開平5-182930
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 ドライエッチング装置における真空チャンバの真空度を下げることなく半導体ウェーハを効率よく強制冷却するウェーハ冷却装置の提供。【構成】 ウェーハ(1)のドライエッチング装置における真空チャンバ(2)内に略水平に配置された冷却手段(4)付きステージ(3)の上面に載置されたウェーハ(1)を冷却する装置で、ステージ(3)の上面周辺部にリング状に設置されたシール材(5)と、ステージ(3)上面のシール材(5)で囲まれる中央部に形成されたガス供給孔(6)及びガス排出孔(7)と、ステージ(3)とシール材(5)及びウェーハ(1)で囲まれる微小間隙(G)にガス供給孔(6)からヘリウムガス(9)を供給すると共に、過剰供給分のヘリウムガス(9)をガス排出孔(7)から排出させて、間隙(G)にヘリウムガス(9)を流動的に充填させるガス給排出制御部(8)で構成される。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内に略水平に配置された冷却手段付きステージの上面に載置されたウェーハを冷却する装置であって、ステージ上面周辺部にリング状に設置され、ウェーハの裏面周辺部に当接してウェーハとステージの間に微小間隙を形成するシール材と、ステージ上面のシール材で囲まれる中央部に形成されたガス供給孔及びガス排出孔と、ステージとシール材及びウェーハで囲まれる前記微小間隙にガス供給孔から冷媒ガスを供給すると共に、過剰供給分の冷媒ガスをガス排出孔から排出させて、前記間隙に冷媒ガスを流動的に充填させるガス給排出制御部とを具備したことを特徴とするウェーハ冷却装置。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  F25D 17/02 ,  F25D 31/00 ,  H01L 21/68

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-103530
  
• 特開平1-251735
  
• 特開昭60-257512