特許
J-GLOBAL ID：200903066558970045
透明導電体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-381144
公開番号（公開出願番号）：特開2006-185867
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】透明導電体間で摩擦が生じても、透明導電体の表面が削れることが十分に抑制され、電気的抵抗値の局所的な上昇を十分に抑制することができる透明導電体を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基体11と、導電層12と、フッ素化合物を含む層13と、を備え、フッ素化合物を含む層13が、導電層12に対し基体11と反対側に設けられていることを特徴とする透明導電体である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基体と、
導電層と、
フッ素化合物を含む層と、
を備え、
前記フッ素化合物を含む層が、前記導電層に対し前記基体と反対側に設けられている、透明導電体。
IPC (3件)：
H01B 5/14
, B32B 7/02
, G06F 3/041
H01B5/14 A
, B32B7/02 104
, G06F3/03 310D
4F100AH05C
, 4F100AH05H
, 4F100AK01C
, 4F100AR00B
, 4F100AT00A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100GB41
, 4F100JG01B
, 5B068AA33
, 5B068BC08
, 5B068BC10
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB01
, 5G307FC01
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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