特許

J-GLOBAL ID：200903066563345671

コンタクト部の配線の形成方法

発明者： 菅野 幸保
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190577
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013366
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高アスペクト比のコンタクトホールにオーミック特性に優れたバリヤメタルを有する配線の形成を可能にする。【構成】 コンタクトホール13の内部を含む層間絶縁膜12上にチタン膜14を形成後、コンタクトホール13の底部に形成されたチタン膜14をシリサイド化する。続いてチタンシリサイド膜15を含むチタン膜14の表面に窒化チタン膜16を形成し、次いでコンタクトホール13を埋める状態にかつ窒化チタン膜16の表面に導体膜を形成して、その後配線18を形成する。あるいは、上記同様に層間絶縁膜12上にチタン膜14を形成後、バリヤ層(図示せず)を形成し、続いてバリヤ層の表面に窒化チタン膜16を形成する。このときバリヤ層を導体化しかつシリコン基板11に接触するチタン膜14をシリサイド化する。その後上記同様に導体膜を形成後、配線18を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上の層間絶縁膜のコンタクトホールを含む当該層間絶縁膜上に形成した配線と当該シリコン基板とを接続するコンタクト部の配線の形成方法であって、前記コンタクトホールの内部を含む前記層間絶縁膜の上面にチタン膜を形成する第1の工程と、前記コンタクトホールの底部に形成された前記チタン膜をシリサイド化する第2の工程と、前記シリサイド化したチタン膜を含む前記チタン膜の表面に窒化チタン膜を形成する第3の工程と、前記コンタクトホールを埋める状態にかつ前記窒化チタン膜の表面に配線用の導体膜を堆積した後、前記シリサイド化した部分を含む前記チタン膜と前記窒化チタン膜と当該導体膜とで配線を形成する第4の工程とよりなるコンタクト部の配線の形成方法。