特許
J-GLOBAL ID：200903066563761977
薄膜のパターニング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052479
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267835
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜とレジストとの密着性を向上し、レジストの剥がれを防止する。【構成】 シリコン窒化膜およびシリコン酸窒化膜堆積後に薄膜表面を酸素プラズマ処理することにより、薄膜表面に極く薄いシリコン酸化膜層を形成し、薄膜とレジストとの密着性を向上させる。
請求項（抜粋）：
シリコン窒化膜(Si3 N4 )もしくはシリコン酸窒化膜(SiON)の、フォトレジストを用いたパターニングにおいて、レジストを塗布する前に膜表面に酸素プラズマ処理を施すことを特徴とする薄膜のパターニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 21/318
, H01L 21/306
