特許

J-GLOBAL ID：200903066566625519

一軸磁気異方性薄膜

発明者： 古川 伸治 ,  大沼 繁弘 ,  松本 文夫 ,  藤森 啓安 ,  増本 健
出願人/特許権者： 株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224439
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086035
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】本発明は、電気抵抗と飽和磁化が共に高い軟磁性薄膜で、高周波特性の優れた一軸磁気異方性薄膜を提供することを目的とする。【構成】本発明は、一般式 Fe100-x-y-z Mx Ny Lz (原子%)で示され、MはBe,B,Mg,Al,Si,Ca,Ti,Y,Zr,Mo,In,Sn,Cs,Ba,La,Hf,Ta,Bi,Pb,Wのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、LはO、Fのうちから選択される1種または2種の元素であり、それぞれの原子比率が、5≦ x ≦25、0≦ y ≦15、15≦ z ≦35、28≦x+y+z≦50であり、その結晶構造が主にbcc-Fe構造とMの酸化物相あるいはフッ化物相からなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

一般式 Fe100-x-y-z Mx Ny Lz (原子%)で示され、MはBe,B,Mg,Al,Si,Ca,Ti,Y,Zr,Mo,In,Sn,Cs,Ba,La,Hf,Ta,Bi,Pb,Wのうちから選択される1種または2種以上の元素であり、LはO、Fのうちから選択される1種または2種の元素であり、それぞれの原子比率が、5≦ x ≦250≦ y ≦1515≦ z ≦3528≦x+y+z≦50であり、その結晶構造が主にbcc-Fe構造とMの酸化物相あるいはフッ化物相からなることを特徴とする一軸磁気異方性薄膜。

IPC (3件)：

H01F 10/14 ,  C22C 38/00 303 ,  G11B 5/31