特許

J-GLOBAL ID：200903066569426231

半導体装置およびその製造方法

発明者： 日高 義晴
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007696
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216137
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造工程における電気特性に悪影響を与える不純物を捕獲する効果を高める。【構成】 シリコン基板1の重金属などの不純物の捕獲する層として裏面の欠陥層や酸素析出層の他に、常温で安定な結合状態となる元素を拡散させて、特定元素のみを捕獲する効果を高める層を形成する。シリコン基板1の裏面に成長させる多結晶シリコンを成長させると同時に、例えば鉄の捕獲効果のあるボロンのような不純物を拡散させたボロンドープ多結晶シリコン膜2を形成した後に、集積回路を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板上に形成した集積回路と、前記半導体基板の裏面に形成された不純物元素捕獲層とを備え、前記不純物元素捕獲層は、前記集積回路の特性に悪影響を与える不純物元素と常温で安定な結合状態となる別の不純物層である半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-254737
  
• 特開昭55-015286
  
• 特開昭54-150074
  
• 特開平3-173131