特許

J-GLOBAL ID：200903066569782798

半導体装置及びその製造方法

発明者： 諏訪 元大 ,  深田 晋一 ,  工藤 一恵
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-307626
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144808
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置用薄膜配線に銅配線8を用いる場合において、銅による半導体1の汚染を防止し、かつ配線抵抗が低い配線を用いた半導体装置を提供する。【構成】 コンタクトホ-ル4に埋め込んだ導体5の上部にコンタクトホ-ルより広い拡散バリア層6を埋め込み導体5の端部を被うように形成する。この上に接着層7と銅配線8を形成する。【効果】 絶縁膜3と、埋め込み導体5界面の銅8の速い拡散を防止し、かつ配線抵抗を増加させない。

請求項（抜粋）：

半導体上の絶縁膜と、この絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、このコンタクトホールに埋め込まれた導体と、この導体及び絶縁膜上に形成された配線を有する半導体装置であって、前記配線は、銅を主成分とする銅線部分と、この銅線部分と前記絶縁膜の間に形成された接着層と、前記銅が前記半導体側に拡散するのを防止する拡散バリア層を備え、この拡散バリア層は、銅線全域より小さく形成され、且つコンタクトホール端部を被って設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90