特許
J-GLOBAL ID：200903066574133145
プラズマ化学気相成長法とその装置及び多層配線の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-205592
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097208
出願日： 1991年06月06日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【課題】 段差被覆性が良く、サブミクロンのアルミ配線間スペースの埋設が可能で、かつ、膜中水分量が少なく、耐クラック性,耐ストレスマイグレーション性,スルーホール性,絶縁性に優れた多層配線層間膜用プラズマCVD膜を提供し、工程数の低減による歩留まり向上及びコスト低減と、多層配線の高信頼性化を達成する。【解決手段】 反応ガスとして、TEOSとオゾンを用い、パルスジェネレータ40から、周期1秒、デューティー40から60%のパルスを送り、高周波電源36および39からシャワー電極19に印加する高周波電力を、周期1秒、デューティー40から60%でオン・オフする事により、約1nmのTEOSとオゾンの熱CVD膜の形成、熱CVD膜のプラズマ膜への改質,約10nmのプラズマTEOS・CVD膜の形成が繰り返される。これにより、プラズマTEOS・CVD膜と同等の膜質を持ち、段差被覆性、微細配線埋め込み性の優れた、層間絶縁膜が形成される。
請求項（抜粋）：
2種以上の周波数の高周波電圧を印加し、その内の一部或いは全部の高周波電力を周期的に変化させながら、所望の薄膜を形成することを特徴とするプラズマ化学気相成長法。
IPC (7件)：
H01L 21/316
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/3205
, H01L 21/768
, H05H 1/46
H01L 21/88 K
, H01L 21/90 P
