特許
J-GLOBAL ID：200903066576542140
絶縁膜の形成方法及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-036264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252132
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：
【要約】【目的】 不純物濃度の均一な絶縁膜を溶液成長反応により形成する。【構成】 層間絶縁膜32上にAl配線33及びレジスト34が形成された半導体基板31をオルトキシレンに、TEOS及びトリターシャリブトキシリンを加えて146°Cで加熱還流して、酸化シリコン膜35を成長させる。このとき、TEOSとトリターシャリブトキシリンの反応速度が近いため、均一な不純物濃度の絶縁膜が形成できる。
請求項（抜粋）：
水及びレジストと相溶性のない溶媒中に、レジストマスクが形成された被成長基板を浸漬して、水を除去しながら該溶媒を加熱還流した後、該溶媒中に有機シリコン化合物を溶解し、副生成物を除去しながら加熱還流する絶縁膜の形成方法において、上記有機シリコン化合物を溶解した溶媒中に不純物を含有させることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
引用特許：
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