特許
J-GLOBAL ID：200903066582361041
光検出器回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 今城 俊夫
, 西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-520807
公開番号（公開出願番号）：特表2005-532695
出願日： 2003年07月03日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
光検出器回路は、SiO2絶縁層(14)が公知の方法で析出されたp-シリコン・ハンドルウェハ(12)を含むAPD検出器構造(10)を組み込む。製造中に回路開口(16)が、従来型光リソグラフィ及びエッチングによって絶縁層(14)を貫通して形成され、環状p+基板接点リング(18)が、窓(16)の開口後にハンドルウェハ(12)に注入される。APD自体は、p領域(20)及びn+領域(22)の注入によって形成される。様々な注入段階後に、金属化層が施され、かつ環状金属接点が適当な光リソグラフィ及びエッチング段階の適用によって形成され、これらの接点は、負端子を構成してp+基板接点リング(18)に接続される環状接点(26)と、正端子を構成してAPDのn+領域(22)に接続される環状金属接点(28)と、絶縁層(14)の上面に形成されるSi層(34)内に組み込まれた関連するCMOS読出回路の1つ又はそれ以上のCMOS MOSFET装置のソース及びドレインに接続されるソース及びドレイン接点(30)及び(32)(図1には図示せず)とを含む。こうした配置は、APDが相対的に高い逆バイアス(15-30V)で動作し、CMOS回路が低圧(5V)で動作するという点で、APDとCMOS回路を組み合わせる問題を克服しており、かつ配置は、高バイアス電圧が隣接するCMOSトランジスタの動作に影響を及ぼすのを防ぐようなものでなければならない。
請求項（抜粋）：
光ダイオード検出器及び関連する読出回路を含む光検出器回路であって、該回路は、前記読出回路を支持する1つの導電型の半導体ハンドル基板と、前記読出回路を前記ハンドル基板と電気的に絶縁する前記ハンドル基板上の絶縁層とを含み、前記光ダイオード検出器は、前記ハンドル基板に組み込まれた前記ハンドル基板とは反対の導電型の第1アクティブ領域と、前記ハンドル基板に組み込まれた前記1つの前記導電型の第2アクティブ領域とを有するアバランシェ光ダイオードを含み、前記第1アクティブ領域と前記第2アクティブ領域との間の前記ハンドル基板内にアクティブ電気光学接合を定めるようにしたことを特徴とする光検出器回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L31/10 G
, H01L27/14 Z
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118GA02
, 4M118GB12
, 5F049MA07
, 5F049MB03
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049UA01
, 5F049UA04
, 5F049UA11
