特許
J-GLOBAL ID：200903066583160821
バイポーラトランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019367
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298205
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 接合特性が良好で工程が簡単になり、かつベース電極形成、小さなエミッタ形成が容易になり、しかも適当な大きさのエミッタ電極を形成することができ、素子間の接続も容易になり、動作速度も向上するバイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板51上にエピタキシャルマスク(エピタキシャル成長遅延層)50を形成した後、基板51上にサブコレクタ層52、コレクタ層53、ベース層54、エミッタ層55およびエミッタキャップ層56をエピタキシャル成長させ、傾斜面とマスク50上にエミッタ電極57を形成した後、エミッタ電極57をマスクにエミッタキャップ層56およびエミッタ層55を食刻し、エミッタを形成し、露出した厚いベース層54上にベース電極58を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層と隣接して、しかも前記絶縁層との隣接部に傾斜面を有して前記基板上に形成されたコレクタと、前記コレクタの傾斜面および前記コレクタの平坦な上面の一部に形成されたベースと、前記コレクタの傾斜面に対応する部分の前記ベース上に形成されたエミッタとを具備することを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
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