特許

J-GLOBAL ID：200903066583742294

半導体装置の製造方法

発明者： 大石 敏之 ,  塩沢 勝臣
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-010522
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214496
出願日： 1998年01月22日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 分離絶縁膜の分離特性の劣化を防止し、高い信頼性を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の主表面上に被覆膜3a〜3cを形成する。被覆膜3a〜3cをマスクとして、半導体基板1の一部を除去することにより、溝4a〜4dを形成する。溝4a〜4dの内部と被覆膜3a〜3cの上とに絶縁膜6a〜6fを形成する。絶縁膜6a〜6f上に保護膜5を形成する。この保護膜5が存在する状態で、被覆膜3a、3b上に位置する絶縁膜6e、6fを化学機械研磨法により除去する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上に被覆膜を形成する工程と、前記被覆膜を選択的に除去することにより、素子分離領域で前記半導体基板の主表面を露出させる工程と、前記被覆膜をマスクとして、前記半導体基板の一部を除去することにより、溝を形成する工程と、前記溝の内部と前記被覆膜上とに絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記溝上に位置する領域において、前記絶縁膜上に保護膜を形成する工程と、前記保護膜が存在する状態で、前記被覆膜上に位置する前記絶縁膜を化学機械研磨法により除去する工程とを備え、前記溝の内部に前記絶縁膜を形成する工程は、前記被覆膜の上部表面の高さより低い高さを有するように、前記絶縁膜を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。