特許
J-GLOBAL ID:200903066584008837

セラミック多層基板の製造方法および未焼成セラミック積層体

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-283313
公開番号(公開出願番号):特開2002-094244
出願日: 2000年09月19日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】【課題】 基板平面方向への焼成収縮を抑制した高精度なセラミック多層基板であって、かつ、緻密化を達成した高信頼性のセラミック多層基板を作製すること。【解決手段】 低温焼結セラミック原料粉末を主成分とする基材層1a〜1gと、アルミナ等の難焼結性粉末を主成分とする拘束層2a〜2eとを積層してなる未焼成セラミック積層体を低温焼結セラミック原料粉末の焼結温度で焼成するに際し、拘束層2a〜2eに、低温焼結セラミック粉末の焼成収縮開始温度では軟化・流動しないが、その焼結完了までには、軟化流動によって難焼結性粉末の隙間に濡れ広がり、拘束層2a〜2eを緻密化するようなガラス粉末をあらかじめ含有させる。
請求項(抜粋):
セラミック原料粉末を主成分とする基材層と、前記セラミック原料粉末の焼結温度では実質的に焼結しない難焼結性粉末を主成分とする拘束層とを積層し、得られた積層体を前記セラミック原料粉末の焼結温度で焼成する、セラミック多層基板の製造方法であって、前記拘束層に、前記焼成に伴う軟化・流動によって前記拘束層を緻密化し得る軟化流動性粉末を含有させる、ことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/03 610
FI (5件):
H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 H ,  H05K 1/03 610 D ,  H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 D
Fターム (7件):
5E346AA12 ,  5E346CC17 ,  5E346CC18 ,  5E346EE29 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346HH33
引用特許:
審査官引用 (1件)

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