特許

J-GLOBAL ID：200903066587457756

半導体装置の評価方法及びその評価装置

発明者： 渡辺 昌規 ,  石田 真也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287743
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135291
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 p型クラッド層とn型クラッド層に挟まれた半導体層を有する半導体装置、特にLED、半導体レーザなどの発光素子の時間分解フォトルミネッセンス(減衰時定数)によって評価する上で、半導体層のエネルギーバンドの傾きの影響のため、正確な測定値が得られないという問題があった。【解決手段】 測定する半導体装置にpn接合に順方向のバイアス電圧を加えた状態で時間分解フォトルミネッセンスを測定し、順方向バイアスによる発光分をフォトルミネッセンス検出値から減算しすることで、減衰時定数を求め、半導体装置の評価を行う。

請求項（抜粋）：

p型クラッド層及びn型クラッド層で挟まれ、前記p型クラッド層及び前記n型クラッド層よりもバンドギャップの小さい半導体層を有する半導体装置の評価方法であって、前記p型クラッド層と前記n型クラッド層の間に順方向のバイアス電圧を印加しながら前記半導体層にパルス光を照射することで得られるフォトルミネッセンスに基づいて、前記フォトルミネッセンスの減衰時定数を測定することを特徴とする半導体装置の評価方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/26 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/66 L ,  H01L 21/66 X ,  G01R 31/26 F ,  H01L 33/00 K ,  H01L 31/10 Z