化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：阿形明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127174
公開番号（公開出願番号）：特開2002-323774
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】化学増幅型ポジ型レジストを用いて形成したレジストパターンについて、特定の検査装置によりキャッチされる表面欠陥、いわゆるディフェクトを減少させるために用いられる処理剤、及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】分子量200以上の難揮発性芳香族スルホン酸を含む、pH3.5以下の水性溶液からなる化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤とする。また、(A)基板上に化学増幅型ポジ型レジスト膜を設ける工程、(B)該ポジ型レジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、(C)露光後加熱(PEB)処理する工程、(D)前記化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤によりPEB処理後のレジスト膜を処理する工程及び(E)アルカリ現像する工程を順次施してレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

分子量200以上の難揮発性芳香族スルホン酸を含む、pH3.5以下の水性溶液からなる化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤。

IPC (3件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 568

Fターム (19件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096FA05 , 2H096GA08 , 5F046AA28

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