特許

J-GLOBAL ID：200903066594352480

半導体発光素子

発明者： 百瀬 正之 ,  大家 彰 ,  後藤 順 ,  右田 雅人 ,  山本 立春
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233256
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094822
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】紫外から緑色の波長領域(280nm〜535nm)で発振する2重ヘテロ構造を有する半導体レーザを実現する。【構成】組成式(1)CdxMgyZn1-x-ySvSewTe1-v-w(0≦x、y、v、w≦1,0≦x+y≦1,0≦v+w≦1)で表せるII-VI族化合物半導体を活性層とし、それより禁制帯幅が大きく屈折率が小さい組成式(2)AlaGabIn1-a-bNcAsdP1-c-d(0≦a、b、c、d≦1,0≦a+b≦1,0≦c+d≦1)で表せるIII-V族化合物半導体をクラッド層として2重へテロ構造を形成する。また、基板とクラッド層間に格子不整が存在する場合は、組成式(2)が連続的に変化するクラッド層とは異なるバッファ層を導入して、各層での結晶欠陥の発生を抑制する。さらには、活性層とクラッド層間に活性層とは異なる組成式(2)の光閉じ込め層を形成する。

請求項（抜粋）：

化合物半導体基板と、基板上に設けられ、下記の組成式(1)で表せるII-VI族化合物半導体からなる活性層と、この活性層の両側に設けられ、互いに伝導型が異なり、基板と等しい格子定数を有し、活性層よりも禁制帯幅が大きく、屈折率の小さい下記の組成式(2)で表せるIII-V族化合物半導体からなる一組のクラッド層とを有して成る半導体発光素子。【化1】CdxMgyZn1-x-ySvSewTe1-v-w ...(1)ただし、0≦x、y、v、w≦1,0≦x+y≦1,0≦v+w≦1。【化2】AlaGabIn1-a-bNcAsdP1-c-d ...(2)ただし、0≦a、b、c、d≦1,0≦a+b≦1,0≦c+d≦1。