特許

J-GLOBAL ID：200903066596570565

多結晶シリコン層の製造方法

発明者： 藤山 靖朋
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-350208
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177055
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 絶縁性膜上に低温で単結晶シリコンに限りなく近い結晶構造を有する低欠陥多結晶シリコン層を積層形成する。【構成】 シリコンを主な構成元素とする化合物原料ガスを反応容器中で加熱分解し、該反応容器内に設置した基板上に多結晶シリコン層を堆積させる多結晶シリコン層の製造方法において、前記化合物原料ガスとは別個に生成した原子状水素あるいは原子状重水素を前記基板の表面に供給する工程と、前記基板表面に前記化合物原料ガスを供給して前記基板表面上に多結晶シリコン層を堆積する工程と、を交互に行ない膜中水素元素を脱離させた多結晶シリコン層13を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンを主な構成元素とする化合物原料ガスを反応容器中で加熱分解し、該反応容器内に設置した基板上に多結晶シリコン層を堆積させる多結晶シリコン層の製造方法において、前記化合物原料ガスとは別個に生成した原子状水素あるいは原子状重水素を前記基板の表面に供給する工程と、前記基板表面に前記化合物原料ガスを供給して前記基板表面上に多結晶シリコン層を堆積する工程と、を交互に行なうことを特徴とする多結晶シリコン層の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/84 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-238112
  
• 特開平4-299524
  
• 特開平4-115580
  
• 特開平4-342119