特許
J-GLOBAL ID：200903066600015482
磁気記憶素子、磁気メモリ、磁気記録方法、磁気記憶素子の製造方法、及び磁気メモリの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-150456
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343943
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 実用に足るMRAMを提供することのできる新規な磁気記憶素子を提供するとともに、これを用いた磁気メモリを提供する。【解決手段】 本発明の磁気記憶素子10は、外部磁界の印加によりスピンボルテックスを生じる第1の磁性体薄膜1と、この第1の磁性体薄膜1の上方において、膜面と略垂直な磁化Cを有する第2の磁性体薄膜2とを具えている。また、第1の磁性体薄膜1と第2の磁性体薄膜2との間には、磁気記憶素子10全体を通じて流れる電流値を制御(抑制)するための絶縁層3が形成されている。磁気記憶素子10に対して所定の外部磁界を印加することによって、第1の磁性体薄膜1中にスピンボルテックスを生じさせ、核部分において垂直に立ち上がった磁化の向きに応じて情報を記録する。
請求項（抜粋）：
外部磁界の印加によりスピンボルテックスを生じる第1の磁性体薄膜と、この第1の磁性体薄膜の上方において、膜面と略垂直な磁化を有する第2の磁性体薄膜とを具えることを特徴とする、磁気記憶素子。
IPC (5件)：
H01L 27/105
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/16
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA06
, 5E049CB01
, 5E049DB12
, 5E049FC01
, 5E049GC01
, 5F083FZ10
, 5F083PR01
