特許
J-GLOBAL ID:200903066600366919

基板乾燥方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川崎 実夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-284554
公開番号(公開出願番号):特開2003-092280
出願日: 2001年09月19日
公開日(公表日): 2003年03月28日
要約:
【要約】【課題】基板表面における筋状のパーティクルの発生を抑制または防止して、基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥方法を提供する。【解決手段】ウエハ上で液滴を成長させた後(液滴成長工程)、100rpm程度の第1液滴排除速度でウエハを回転し、さらに200rpm程度の第2液滴排除速度でウエハを回転する(第1回転工程)。これにより、ウエハ上の大きな液滴を排除する。その後、ウエハの回転速度を1000〜1800rpmに加速して、目に見える程度の液滴をウエハ外に排除する(第2回転工程)。さらに、ウエハの回転速度を2000〜3500rpmに加速して、微小な液滴を振り切ってウエハを乾燥させる(第3回転工程)。
請求項(抜粋):
基板の表面から処理液を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法であって、処理液が表面に供給された基板をほぼ水平に保持しつつ、この基板の表面と直交する回転軸線まわりに当該基板を第1の所定時間だけ第1の回転速度で回転させる第1回転工程と、この第1回転工程の後、基板をほぼ水平に保持しつつ、この基板を上記回転軸線まわりに第2の所定時間だけ、上記第1の回転速度よりも高速な第2の回転速度で回転させる第2回転工程と、この第2回転工程の後、基板をほぼ水平に保持しつつ、この基板を上記回転軸線まわりに第3の所定時間だけ、上記第2の回転速度よりも高速な第3の回転速度で回転させる第3回転工程とを含むことを特徴とする基板乾燥方法。
IPC (2件):
H01L 21/304 651 ,  F26B 5/08
FI (2件):
H01L 21/304 651 B ,  F26B 5/08
Fターム (9件):
3L113AA04 ,  3L113AB08 ,  3L113AC63 ,  3L113BA34 ,  3L113CA15 ,  3L113CB34 ,  3L113DA04 ,  3L113DA10 ,  3L113DA24

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