特許

J-GLOBAL ID：200903066602525399

III族窒化物半導体およびその作製方法および半導体装置およびその作製方法

発明者： 岩田 浩和 ,  皿山 正二 ,  三樹 剛
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127209
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324913
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】 従来よりもキャリア濃度が高くかつ高品質のIII族窒化物半導体を提供する。【解決手段】 サファイア基板10上には、低温GaNバッファー層11、III族窒化物半導体としてのp型AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)層12が順次に積層されている。ここで、p型AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)層12は、例えばx=0.08のp型Al0.08Ga0.92N層である。そして、p型Al0.08Ga0.92N層12には、p型不純物のMg(マグネシウム)と同時にB(ボロン)が含まれている。ここで、MgとBは、ともに8×1019cm-3程度含まれている。

請求項（抜粋）：

Mgが添加されたp型AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)において、前記p型AlxGa(1-x)N(0≦x≦1)には、Mgと同時にBが添加されていることを特徴とするIII族窒化物半導体。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610

Fターム (32件)：

5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041FF13 ,  5F041FF14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA01 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA11 ,  5F073DA21 ,  5F073DA31 ,  5F073EA28