特許

J-GLOBAL ID：200903066602914123

薄膜パターン形成方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法

発明者： 浅沼 雄二
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-248465
公開番号（公開出願番号）：特開2002-063703
出願日： 2000年08月18日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
要約：

【要約】【課題】 光学的な限界によって決まる寸法よりも微細な薄膜パターンを形成する。【解決手段】 本発明の薄膜パターン形成方法および薄膜磁気ヘッドの磁極の形成方法は、導電性を有する下地としての電極膜21の上に、第1の材料によって、凸形状の第1のパターンを形成する工程と、この第1のパターンの周囲における電極膜21の上に、第1の材料とは異なる非導電性の第2の材料によって、フレームとなる第2のパターンを形成する工程と、この第2のパターン中より第1のパターンを除去することによって、第2の材料よりなり、第1のパターンが除去されることによって形成された溝部23Cを有するフレーム23Bを形成する工程と、フレーム23Bの溝部23C内に薄膜パターン(磁極部分層10a)を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

フレームを用いて薄膜パターンを形成する方法であって、導電性を有する下地の上に、第1の材料によって、凸形状の第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターンの周囲における前記下地の上に、前記第1の材料とは異なる非導電性の第2の材料によって、フレームとなる第2のパターンを形成する工程と、前記第2のパターン中より前記第1のパターンを除去することによって、前記第2の材料よりなり、前記第1のパターンが除去されることによって形成された溝部を有するフレームを形成する工程と、前記フレームの前記溝部内に薄膜パターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする薄膜パターン形成方法。

FI (2件)：

G11B 5/31 D ,  G11B 5/31 C

Fターム (6件)：

5D033BA08 ,  5D033BA13 ,  5D033DA04 ,  5D033DA08 ,  5D033DA09 ,  5D033DA31