特許

J-GLOBAL ID：200903066611165974

絶縁膜の製造方法

発明者： 西川 通則 ,  津田 祐輔 ,  別所 信夫
出願人/特許権者： 日本合成ゴム株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123372
公開番号（公開出願番号）：特開平6-313054
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【構成】 塩基性基を有するポリイミドに酸性基を有するアルキル基を添加した重合体を用いたことを特徴とする、ラングミュア・ブロジェット法による絶縁膜の作製方法。【効果】 耐熱性、電気絶縁性に優れ、かつピンホールのない有機膜からなる電気及び電子素子として好適な絶縁膜が得られる。

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)【化1】で表されるポリイミド重合体と下記一般式(II)R3-X (II)(ここで、R3は1価の有機基を示し、Xは酸性基を示す。)で表される化合物を反応させてなる重合体を用いて、ラングミュア・ブロジェット法により形成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (7件)：

C08J 5/18 CFG ,  B05D 1/20 ,  B05D 7/24 302 ,  C08G 73/10 NTF ,  G02F 1/1337 525 ,  H01L 21/312 ,  C08L 79:00