特許
J-GLOBAL ID：200903066613790485
流量センサ及び流量センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-283821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-111378
出願日： 1998年10月06日
公開日（公表日）： 2000年04月18日
要約：
【要約】【課題】 熱伝達現象に基づいて流体の流量を計測する流量センサ並びにセンサ素子の製造方法に関し、ダイヤフラムから基材への熱絶縁を図り、感度低下や応答性の低下を起こさない流量センサ並びに製造方法を提供する。【解決手段】 この流量センサは、少なくとも熱抵抗体及び該熱抵抗体を支持する支持膜からなるダイヤフラム構造部、並びに該ダイヤフラム構造部の下面側を支持する支持基材を有してなる流量センサであって、支持基材はダイヤフラム構造部の下面側の熱抵抗体領域の周囲を包囲して、高さ方向について底面側が開口する熱絶縁部空間を形成しており、該熱絶縁部空間は、支持膜が露出する深領域と、支持基材が高さ方向について部分的に残っている浅領域とからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも熱抵抗体及び該熱抵抗体を支持する支持膜からなるダイヤフラム構造部、並びに該ダイヤフラム構造部の下面側を支持する支持基材を有してなる流量センサであって、支持基材はダイヤフラム構造部の下面側の熱抵抗体領域の周囲を包囲して、高さ方向について底面側が開口する熱絶縁部空間を形成しており、該熱絶縁部空間は、支持膜が露出する深領域と、支持基材が高さ方向について部分的に残っている浅領域とからなることを特徴とする流量センサ。
IPC (3件)：
G01F 1/68
, G01P 5/12
, H01L 29/84
G01F 1/68
, G01P 5/12 C
, H01L 29/84 Z
2F035AA02
, 2F035EA03
, 2F035EA04
, 2F035EA05
, 2F035EA08
, 4M112AA03
, 4M112BA01
, 4M112CA03
, 4M112CA08
, 4M112CA14
, 4M112DA04
, 4M112DA12
