高周波プラズマCVD法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-031214
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232070
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、任意形状の大面積の基体上に、膜厚が極めて均一で旦つ均質膜質である高品質な堆積膜を高速度で安定に形成し、効率よく半導体デバイスを形成し得る高周波プラズマCVD法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、減圧下の反応容器内に成膜用の原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力によりプラズマ化して分解し、前記反応容器内に配される基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法において、前記高周波電力の周波数が30MHz乃至600MHzの範囲にあり、該高周波電力によりプラズマを生成するために、2つ以上の棒状若しくは板状の導電性のプラズマ発生用高周波電極をほぼ平行に配置し、該平行に配置された隣り合う高周波電極の給電点の反対側の先端部分における反射電力の位相を調整して、該一方のプラズマ発生用高周波電極の定在波の腹の位置と該他方のプラズマ発生用高周波電極の定在波の節の位置を、前記高周波電力の波長の24分の1以内の誤差で一致させ、堆積膜を形成することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

減圧下の反応容器内に成膜用の原料ガスを供給し、前記原料ガスを高周波電力によりプラズマ化して分解し、前記反応容器内に配される基体上に堆積膜を形成するプラズマCVD法において、前記高周波電力の周波数が30MHz乃至600MHzの範囲にあり、該高周波電力によりプラズマを生成するために、2つ以上の棒状若しくは板状の導電性のプラズマ発生用高周波電極をほぼ平行に配置し、該平行に配置された隣り合う高周波電極の給電点の反対側の先端部分における反射電力の位相を調整して、該一方のプラズマ発生用高周波電極の定在波の腹の位置と該他方のプラズマ発生用高周波電極の定在波の節の位置を、前記高周波電力の波長の24分の1以内の誤差で一致させ、堆積膜を形成することを特徴とする高周波プラズマCVD法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/505 , G03G 5/08 360 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 B , G03G 5/08 360 , H01L 21/31 C

Fターム (48件)：

2H068DA23 , 2H068EA25 , 2H068EA30 , 4K030AA06 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA24 , 4K030BA09 , 4K030BA27 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030CA02 , 4K030CA06 , 4K030CA16 , 4K030CA17 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030GA06 , 4K030GA14 , 4K030JA18 , 4K030JA19 , 4K030KA15 , 4K030LA15 , 4K030LA16 , 4K030LA17 , 5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AB04 , 5F045AB05 , 5F045AB07 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AE11 , 5F045CA13 , 5F045CA15 , 5F045CA16 , 5F045DP22 , 5F045DP25 , 5F045EH04 , 5F045EH14

前のページに戻る