特許
J-GLOBAL ID：200903066629614822
長波長帯面発光半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279701
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132605
出願日： 1992年10月19日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 InPと格子定数の異なるIII -V族半導体で構成した長波長帯面発光半導体レーザを提供することにある。【構成】 本発明は、バッファ層と格子整合するIII -V族半導体により面発光半導体レーザ構造を構成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
InP基板上に活性層の組成と同じ格子定数を有するバッファ層と、前記バッファ層に格子整合する光学波長の1/4の膜厚でInAlAsとIn1-x1Gax1As1-y1Py1(0≦x1≦1,0≦y1≦1)とを交互にエピタキシャル成長させてなる第一光反射層と、前記バッファ層に格子整合するIn1-x2Gax2As1-y2Py2(0≦x2≦1,0≦y2≦1)からなる第一クラッド層と、In1-x3Gax3As1-y3Py3(0≦x3≦1,0≦y3≦1)からなる活性層と、前記バッファ層に格子整合するIn1-x4Gax4As1-y4Py4(0≦x4≦1,0≦y4≦1)からなる第二クラッド層と、前記バッファ層に格子整合する光学波長の1/4の膜厚でInAlAsとIn1-x5Gax5As1-y5Py5(0≦x5≦1,0≦y5≦1)とを交互にエピタキシャル成長させてなる第二光反射層とを順に積層してなることを特徴とする長波長帯面発光半導体レーザ。
引用特許：
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