特許

J-GLOBAL ID：200903066642648353

半導体装置の製造方法

発明者： 多田 ▲吉▼秀
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 金山 敏彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017177
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218416
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 微細化に適し、動作性能のよい半導体装置を製造する。【構成】 Si基板10上に酸化膜30を形成した後、マスク用の線状パターンを形成する(S1)。異方性エッチングにより凹部40を形成し、突出部20を形成する(S2)。そして、ゲート電極32を形成後(S3〜S5)、斜めイオン注入により、突出部20の上部にのみイオン注入を行う(S6)。これにより、この突出部20内にトランジスタが形成される。すなわち、突出部20のゲート電極32にカバーされている中央部分がチャネル領域とされており、その両側がドレイン領域22、ソース領域24とされている。そして、ドレイン、ソース、チャネルの各領域の下方には基板の組成がそのまま残る素子分離部28が形成されている。このため、トランジスタの下方に酸化物絶縁層が不要となり、製造が簡単に行える。

請求項（抜粋）：

異方性エッチングにより半導体基板に複数の溝を形成し、突出部を形成する突出部形成工程と、形成された突出部の下部に不純物非混入領域を残留させて、上部に不純物混入領域を形成する不純物導入工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 29/78 301 X ,  H01L 27/08 321 N