特許

J-GLOBAL ID：200903066652883300

ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法

発明者： 田原 充 ,  阮 強
出願人/特許権者： 大阪府
代理人 (7件)： 三枝 英二 ,  掛樋 悠路 ,  小原 健志 ,  斎藤 健治 ,  藤井 淳 ,  関 仁士 ,  中野 睦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-164627
公開番号（公開出願番号）：特開2005-002377
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：

【課題】高分子基材表面に密着性に優れたDLC膜を形成する技術を提供することを主な目的とする。【解決手段】高分子基材表面にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法において、(1)高分子基材を、メタン-アルゴン混合ガスを用いるCVDプラズマ処理に供して、炭素中間層膜を形成させる工程、および(2)炭素中間層膜を形成させた高分子基材を、炭化水素含有ガスを用いるCVDプラズマ処理に供して、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成させる工程を備えたことを特徴とする方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

高分子基材表面にダイヤモンドライクカーボン膜を形成する方法において、 (1)高分子基材を、メタン-アルゴン混合ガスを用いるCVDプラズマ処理に供し て、炭素中間層膜を形成させる工程、および (2)炭素中間層膜を形成させた高分子基材を、炭化水素含有ガスを用いるCVDプ ラズマ処理に供して、ダイヤモンドライクカーボン膜を形成させる工程 を備えたことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C23C16/27 ,  B32B9/00 ,  C01B31/02

FI (3件)：

C23C16/27 ,  B32B9/00 A ,  C01B31/02 101Z

Fターム (36件)：

4F100AA37B ,  4F100AK01A ,  4F100AK04A ,  4F100AK07A ,  4F100AK15A ,  4F100AK17A ,  4F100AK42A ,  4F100AK45 ,  4F100AK45A ,  4F100AK46A ,  4F100AK49A ,  4F100AK53A ,  4F100AK57A ,  4F100AL09A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100EJ61 ,  4F100EJ61B ,  4F100EJ85 ,  4F100JL11 ,  4F100YY00B ,  4G146AA01 ,  4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146AD02 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BA28 ,  4K030BB13 ,  4K030CA07 ,  4K030CA17 ,  4K030FA03 ,  4K030JA08