特許

J-GLOBAL ID：200903066654665865

半導体装置の製造方法

発明者： 土肥 靖弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-195904
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041528
出願日： 1996年07月25日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 SBDにおいては、ショットキー接合部は良好なショットキー接合を有し、コンタクト部においてはコンタクト抵抗が低くく、且つ、Al等の金属の拡散の無い構造が求められているが、この様な構造を実現するためには工程数の増加が避けられず、現状では工程数の増加無く、ショットキー特性の良好なSBDを形成することが困難である。【解決手段】 コンタクト部20にバリアメタル22を形成した後、このバリアメタル22上にAl配線23を形成し、RIE法のローディング効果を利用し、層間絶縁膜にショットキー接合部19及び、Al配線23に達するコンタクト孔33、34を同時に開口し、この後、ショットキー接合部19にショットキー特性が良好なAl41を形成する。

請求項（抜粋）：

ショットキー接合部とコンタクト部とを表面付近に有する半導体基板表面上に第一絶縁膜を形成する工程と、前記コンタクト部のみ前記第一絶縁膜を除去する工程と、露出した前記コンタクト部と前記第一絶縁膜表面上の一部に高融点金属によりバリアメタルを形成する工程と、前記バリアメタル表面上に低抵抗金属を形成する工程と、前記低抵抗金属上及び前記第一絶縁膜表面上に第二絶縁膜を形成する工程と、前記ショットキー接合部上の前記第一、第二絶縁膜と、前記低抵抗金属上の前記第二絶縁膜とを同時に除去し、前記ショットキー接合部上に第一コンタクト孔を、前記低抵抗金属上に第二コンタクト孔を形成する工程と、ショットキー特性を有する金属により、前記ショットキー接合部と前記低抵抗金属とにそれぞれ電気的に接続される第一、第二電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 29/48 P ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 D ,  H01L 29/48 M