特許

J-GLOBAL ID：200903066656965572

半導体デバイス及びその製造方法

発明者： ゲオルク ブリューデル ,  ヨハネス バウル
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-020946
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234505
出願日： 2003年01月29日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体ボディと基板との間の可能な限り僅かな電気直列抵抗を有する移行部を備えた半導体デバイスを開発すること。【解決手段】 導電性基板(1)と、半導体ボディ(3)とを備え、前記の半導体ボディ(3)は少なくとも1つの窒化物-化合物半導体を有し、かつ前記の半導体ボディ(3)は基板(1)の表面上に配置されている半導体デバイスにおいて、基板(1)と半導体ボディ(3)との間に、半導体デバイスの直列抵抗を減少させるための所定のマスク構造を有する導電性のマスク層(2)が配置されており、このマスク層は基板(1)の表面を部分的に覆っていることを特徴とする、半導体デバイス。

請求項（抜粋）：

導電性基板(1)と、半導体ボディ(3)とを備え、前記の半導体ボディ(3)は少なくとも1つの窒化物-化合物半導体を有し、かつ前記の半導体ボディ(3)は基板(1)の表面上に配置されている半導体デバイスにおいて、基板(1)と半導体ボディ(3)との間に、半導体デバイスの直列抵抗を減少させるための所定のマスク構造を有する導電性のマスク層(2)が配置されており、このマスク層は基板(1)の表面を部分的に覆っていることを特徴とする、半導体デバイス。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA93

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-120757   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-270988   出願人：シャープ株式会社