特許

J-GLOBAL ID：200903066657401761

半導体装置及びその製造方法及び基板

発明者： 飯島 真紀 ,  若林 哲史 ,  浜野 寿夫 ,  南澤 正栄 ,  竹中 正司 ,  山下 達郎 ,  水越 正考
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059562
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017964
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明はBGA型の半導体装置に関し、高周波信号特性の向上を実現することを目的とする。【構成】 基板31と、基板31上にフェイスダウンボンディングされた半導体チップ32と、基板31上のダム部材33と、メタルプレート34と、基板31の下面の半田ボール13Aとを有する。基板31のスルーホールは、充填コア部52によって埋められている。アディティブ層51は、スルーホールの部分にも形成してあり、配線パターン23Aはスルーホールを迂回しない、最短の経路を有する。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上面に固定してある半導体チップと、該基板の下面に配された端子とよりなり、該基板は、複数のスルーホールを有し、各スルーホールの内部に充填コア部を有する基板本体と、該基板本体の上面に、上記スルーホールの部分も含めて、形成してあるアディティブ層とよりなり、該アディティブ層は、該スルーホールによって制約を受けない経路を有する配線パターンを有する構成としたことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-044957
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196943   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-336791   出願人：日本電気株式会社