特許
J-GLOBAL ID：200903066658188913

イオンビーム処理装置およびその方法

発明者：
山口 博司

山口 博司 について

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梅村 馨

梅村 馨 について

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間所 祐一

間所 祐一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-157879
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012178
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：
【要約】【課題】投影イオンビーム装置において、試料の像の検出、およびアパーチャ投影像と試料との位置合わせをサブミクロンのオ-ダで行えるようにする。【解決手段】イオンビームを投影結像照射された試料からでる2次電子をそのまま同じ第2レンズを逆方向に進ませ蛍光板などの上に投影結像し、これを観察することにより像検出を行う。この場合そのままではさらに第1レンズを通過してイオン源に到達するので、途中でウィーンフイルタや静電偏向板あるいはそれらの組合わせ等の分離器を設けて2次電子は結像観察系の方へ行くようにし、その先に第3の静電レンズを設けて結像させ、この像を観察する。この他同一の光学系を用いず、観察の際は試料の近辺に取り付けられた別の光学系を用いる構成も可能である。【効果】投影イオンビーム装置において試料の像の検出、およびアパーチャ投影像と試料との位置合わせに関し適切な手段が提供された。
請求項（抜粋）：
イオン源とこれから引き出されたイオンビームに対して置かれたアパーチャやマスク等(以下アパ-チャ等と記す)とこれらを投影結像するための第1の荷電粒子光学系とを備え、イオンビ-ムによりアパーチャ等の像を試料に照射して加工、打ち込み、分析、成膜、反応性ガスエッチング、露光等の処理を行う装置であって、前記イオンビームを試料に照射することにより前記試料から発生する2次荷電粒子を結像投影するための第2の荷電粒子光学系と2次元の像検出手段を設け、該像検出手段により検出された2次荷電粒子像を観察することによって、前記試料の検出とアパーチャ等の寸法や位置合わせを行うようにしたことを特徴とする投影型イオンビーム処理装置。
IPC (10件)：
H01J 37/305 ,  C23C 14/48 ,  C23C 16/48 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065
FI (11件)：
H01J 37/305 B ,  H01J 37/305 A ,  C23C 14/48 Z ,  C23C 16/48 ,  C23F 4/00 C ,  H01J 37/244 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 D ,  H01L 21/30 551 ,  H01L 21/302 D
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (6件)
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