特許
J-GLOBAL ID：200903066658508071
SiC単結晶薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256796
公開番号（公開出願番号）：特開平7-041396
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1995年02月10日
要約：
【要約】【構成】 炭素源及びシリコン源となる原料ガスを含有する材料ガスを基板上に送り、該基板上において該原料ガスを分解させ、該基板上にSiCの薄膜を成長させる方法において、該基板の温度が1000°C未満であり、該原料ガスの分解をレーザー光で行い、且つ該基板表面が赤外線ランプにより照射されていることを特徴とするSiC単結晶薄膜の製造方法。【効果】 SiCの単結晶薄膜を低温で成長させることが可能で、格子欠陥や界面不整合を起こしにくく、かつ大面積のSiCの単結晶薄膜を作成するのに適したSiCの単結晶薄膜の製造方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
炭素源及びシリコン源となる原料ガスを含有する材料ガスを基板上に送り、該基板上において該原料ガスを分解させ、該基板上にSiCの薄膜を成長させる方法において、該基板の温度が1000°C未満であり、該原料ガスの分解をレーザー光で行い、且つ該基板表面が赤外線ランプにより照射されていることを特徴とするSiC単結晶薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 25/02
, H01L 21/205
