特許
J-GLOBAL ID：200903066659266870
マグネトロンRIEドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-310525
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163468
出願日： 1992年11月19日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 ウェハー上にメタル系のデポあるいは再付着物を生じさせずに、ドライエッチングを行なう。【構成】 磁界とプラズマによりCl2 ,CF4 ,N2 等のガスを励起してメタルのエッチングを行なうに際して、RFを1秒間に200〜500msec切断することにより、メタル系物質のデポあるいは再付着を防止する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波の印加により反応性ガスをプラズマ化し、かつ磁界の印加により活性化して、メタルのエッチングを行なうマグネトロンRIEドライエッチング方法において、マイクロ波の入力,停止を周期的に繰り返して行なうことを特徴とするマグネトロンRIEドライエッチング方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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