特許
J-GLOBAL ID：200903066664876970
高周波用半導体外囲器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-310681
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148470
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】 内部に搭載されたマイクロ波半導体回路等の電子回路に影響を与えないで、高い周波数帯域を扱える高周波用半導体外囲器を提供すること。【解決手段】 上蓋および底部、壁部の各部分から構成され、内部にマイクロ波半導体回路を収納する高周波用半導体外囲器11において、この高周波用半導体外囲器11を構成する上蓋14を、内側の面が金属層14bで被覆された絶縁体14aで形成し、かつ、金属層14cに沿って想定される上蓋14の中心からその周辺に向かう直線それぞれが、絶縁体が露出した少なくとも1つの空隙14cと交差している。
請求項（抜粋）：
上蓋および底部、壁部の各部分から構成され、内部にマイクロ波半導体回路を収納する高周波用半導体外囲器において、この高周波用半導体外囲器を構成する前記上蓋を、内側の面が金属層で被覆された絶縁体で形成し、かつ、前記金属層に沿って想定される前記上蓋の中心からその周辺方向に向う直線それぞれが、前記絶縁体が露出した少なくとも1つの空隙と交差することを特徴とする高周波用半導体外囲器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/04 F
, H05K 9/00 C
