特許
J-GLOBAL ID：200903066666763889
薄膜トランジスタ及びイメージセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-216736
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064795
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 イメ-ジセンサのスイッチング素子として十分低いオフ電流を可能とするとともに、特性の均一化を図ることができる薄膜トランジスタの構造を得る。【構成】 ガラス基板1上に島状に形成した多結晶シリコン半導体層3と、前記多結晶シリコン半導体層3を被覆するゲ-ト絶縁膜4と、前記多結晶シリコン半導体層3の両端に形成されるソ-ス及びドレイン拡散領域3bと、前記ソ-スおよびドレイン拡散領域の間に位置し前記ゲ-ト絶縁膜上に形成されるゲ-ト電極5と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲ-ト電極5とドレイン拡散領域3b′の間のゲ-ト絶縁膜4上に補助電極6を形成し、前記ゲ-ト電極5と前記補助電極6の間に位置する多結晶シリコン半導体層3を、ソ-ス及びドレイン拡散領域よりも低濃度の不純物拡散領域3cとする。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に島状に形成した多結晶シリコン半導体層と、前記多結晶シリコン半導体層を被覆するゲ-ト絶縁膜と、前記多結晶シリコン半導体層の両端に形成されるソ-ス及びドレイン拡散領域と、前記ソ-スおよびドレイン拡散領域の間に位置し前記ゲ-ト絶縁膜上に形成されるゲ-ト電極と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲ-ト電極とドレイン拡散領域の間のゲ-ト絶縁膜上に補助電極を形成し、前記ゲ-ト電極と前記補助電極の間に位置する多結晶シリコン半導体層をソ-ス及びドレイン拡散領域よりも低濃度の不純物拡散領域としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 27/146
, H01L 29/786
H01L 27/14 C
, H01L 29/78 613 Z
, H01L 29/78 617 N
