特許

J-GLOBAL ID：200903066670415690

ドライエッチング方法

発明者： 柳田 敏治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105281
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283374
出願日： 1992年04月01日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 SiO2 層間絶縁膜に微細な接続孔を開口する際のマイクロローディング効果を防止する。【構成】 高次フルオロカーボン化合物を用いてSiO2 層間絶縁膜2を炭素系ポリマーの側壁保護効果を利用しながらエッチングする場合、開口径の小さい第1の接続孔2aの内部ではこのSiO2 層間絶縁膜2からスパッタ放出される酸素原子の量が少なくなり、炭素系ポリマーの燃焼除去効率が低下して過剰に堆積し易くなる。これは、接続孔の側壁面のテーパー化や、エッチング速度の低下の原因となる。そこで、レジスト・マスク3や下層配線1に対する選択性を低下させない範囲でガス系に酸素系化合物を添加し、炭素系ポリマーの過剰な堆積を防止する。具体的には、c-C4 F8 (オクタフルオロシクロブタン)/O2 混合ガスが使用できる。

請求項（抜粋）：

一般式Cm Fn (ただしm,nは原子数を示す自然数であり、m≧2,n≦2mの条件を満足する。)で表されるフルオロカーボン化合物と、酸素を構成元素として有する酸素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-170535
  
• 特開平4-084427
  
• 特開昭55-061027
  
• 特開平3-276626