特許
J-GLOBAL ID：200903066671306402
シリコン基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-353706
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201874
出願日： 1993年12月30日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板中の格子間酸素を十分に外方拡散させることができ、かつ空孔をシリコン原子により埋めることのできる製造方法を提供する。【構成】 酸素分圧比を3%、熱処理温度を1175°Cとし、熱酸化膜が60nm以上に形成されるまで高温熱処理を続ける。【効果】 高温熱処理の前半において、酸素分圧比が低く抑えられているため、酸化膜の形成は抑制され格子間酸素の外方拡散は酸化膜によって阻止されることがなく円滑に行われる。熱処理の後半において、熱酸化膜を一定以上の膜厚に成長させることにより、酸化膜成長によって押し出されたシリコンによりシリコン基板内の空孔を埋めることができる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板を1100°C以上の温度で熱処理を行って酸素の外方拡散および空孔の埋め合わせを行うシリコン基板の製造方法であって、雰囲気を入炉から出炉まで通して酸化性雰囲気とし、かつ少なくとも前半の酸素の外方拡散が支配的な段階においては酸素分圧比を熱処理温度に応じて求められた最大酸素分圧比VOmax以下に設定して熱処理を行うことを特徴とするシリコン基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/322
, C30B 29/06
, C30B 33/02
