特許
J-GLOBAL ID:200903066672031024
紫外線カットフィルタ膜の形成方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-003785
公開番号(公開出願番号):特開2001-199745
出願日: 2000年01月12日
公開日(公表日): 2001年07月24日
要約:
【要約】【課題】 良好なフィルタ膜を安定して形成することが可能な紫外線カットフィルタ膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本方法は、透明基板22上に半導体材料からなる紫外線カットフィルタ膜UVCを形成する紫外線カットフィルタ膜の形成方法を対象とする。本方法においては、噴出口SPを基板22の鉛直上方領域Rから外れた位置に配置することで、加熱中の基板22から鉛直方向に伝搬する対流熱の影響を受け難くし、噴出口SP内での原料の反応を抑制することとした。
請求項(抜粋):
可視光に対して透明な基板上に半導体材料からなる紫外線カットフィルタ膜を形成する紫外線カットフィルタ膜の形成方法において、前記基板を加熱する加熱工程と、前記半導体材料の原料噴霧用の噴霧口を前記基板の鉛直上方の領域から外れた位置に配置し、加熱中の前記基板上に前記噴霧口を介して前記原料を噴霧する噴霧工程とを備えることを特徴とする紫外線カットフィルタ膜の形成方法。
IPC (4件):
C03C 17/34
, G02B 5/22
, H01L 31/02
, H01L 31/04
FI (4件):
C03C 17/34 Z
, G02B 5/22
, H01L 31/02 A
, H01L 31/04 E
Fターム (23件):
2H048CA05
, 2H048CA06
, 2H048CA09
, 2H048CA13
, 2H048CA17
, 2H048CA27
, 4G059AA01
, 4G059AB02
, 4G059AC07
, 4G059EA02
, 4G059EB06
, 4G059GA02
, 4G059GA04
, 4G059GA12
, 5F051BA14
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051DA07
, 5F051HA16
, 5F088AA02
, 5F088CB20
, 5F088GA02
, 5F088HA05
前のページに戻る