ホトダイオード及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富村潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-508001
公開番号（公開出願番号）：特表平11-510318
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】SOI基板において、活性領域(6)は絶縁材料を充填されたトレンチ(4)によって完全に包囲される。このトレンチ(4)に隣接して、特にトレンチ(4)のトレンチ壁に配置されたドープ層からの拡散によって形成された第1のドープ領域(8)が配置される。この第1のドープ領域(8)と第2のドープ領域(12)とがホトダイオードのpn接合を形成する。

請求項（抜粋）：

担持体ウエハ(1)とその上に配置された絶縁層(2)とその上に配置された単結晶シリコン層(3)とを含む基板が設けられ、シリコン層(3)内にはこのシリコン層(3)の主面(5)から絶縁層(2)まで達し絶縁材料を充填されかつ活性領域(6)を完全に包囲する少なくとも1つのトレンチ(4)が設けられ、活性領域(6)内には第1の導電形にドープされトレンチ(4)に直接隣接ししかもシリコン層(3)の主面(5)から絶縁層(2)まで達する第1のドープ領域(8)が設けられ、活性層(6)内には第1の導電形とは逆の第2の導電形にドープされ第1のドープ領域(8)と共にpn接合を形成する第2のドープ領域(12)が設けられ、、シリコン層(3)の主面(5)には第1のドープ領域(8)及び第2のドープ領域(12)のためのコンタクト(15、16)がそれぞれ配置されているホトダイオード。

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