特許

J-GLOBAL ID：200903066680771622

光電変換装置及びその製造方法

発明者： 光地 哲伸 ,  須川 成利
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268724
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094086
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 受光面の微細化が進んだり、遮光パターンや配線パターンのような各種の膜が受光面の上に多く積層されるようになった場合の集光効率を高める。【解決手段】 隣接する2つの光電変換素子1間の素子分離領域2上に設けられた第1のパターン3と、該第1のパターン3を覆う第1の絶縁膜4と、該素子分離領域2の上方かつ該第1の絶縁膜4の上に設けられた第2のパターン5と、該第2のパターン5を覆う第2の絶縁膜6と、該絶縁膜6の上に設けられたマイクロレンズ7と、を有する光電変換装置において、該第1の絶縁膜4及び該第2の絶縁膜6により第1及び第2の層内レンズ8,9が形成されており、該第1及び第2の層内レンズ8,9が該マイクロレンズ7と該光電変換素子1の受光面との間の光路中に配置されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

隣接する2つの光電変換素子間の素子分離領域上に設けられた第1のパターンと、該第1のパターンを覆う第1の絶縁膜と、該素子分離領域の上方かつ該第1の絶縁膜の上に設けられた第2のパターンと、該第2のパターンを覆う第2の絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられたマイクロレンズと、を有する光電変換装置であって、該第1の絶縁膜及び該第2の絶縁膜により第1及び第2の層内レンズが形成されており、該第1及び第2の層内レンズが該マイクロレンズと該光電変換素子の受光面との間の光路中に配置されていることを特徴とする光電変換装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (5件)：

H04N 5/335 U ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (41件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA09 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GB03 ,  4M118GB07 ,  4M118GB11 ,  4M118GD04 ,  4M118GD05 ,  4M118GD06 ,  4M118GD07 ,  4M118GD20 ,  5C024AA01 ,  5C024CA12 ,  5C024FA01 ,  5C024GA11 ,  5C024GA31 ,  5C024GA51 ,  5F049MA01 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049PA04 ,  5F049PA07 ,  5F049PA20 ,  5F049QA20 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03