特許
J-GLOBAL ID:200903066685428705

ポジ型フォトレジスト組成物及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-144273
公開番号(公開出願番号):特開平6-332167
出願日: 1993年05月24日
公開日(公表日): 1994年12月02日
要約:
【要約】【構成】 主としてアルカリ可溶性樹脂と感光剤とを主成分とするポジ型フォトレジスト組成物において、上記感光剤が下記式(1)で示される1,1,3-トリス(4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル)ブタンの1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸(部分)エステルを含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(式中、Dは水素原子又は1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホニル基であり、Dのうち1個以上は1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホニル基である。)【効果】 本発明によれば、i線露光法を採用してハーフミクロン以下の解像度を効果的に達成することができ、特にCEL法を組み合わせたパターン形成により高解像度、深い焦点深度を有するレジストパターンを得ることができるものである。
請求項(抜粋):
主としてアルカリ可溶性樹脂と感光剤とを主成分とするポジ型フォトレジスト組成物において、上記感光剤が下記式(1)で示される1,1,3-トリス(4-ヒドロキシ-3,5-ジメチルフェニル)ブタンの1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホン酸(部分)エステルを含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】(式中、Dは水素原子又は1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホニル基であり、Dのうち1個以上は1,2-ナフトキノン-2-ジアジド-5-スルホニル基である。)
IPC (4件):
G03F 7/022 ,  G03F 7/095 501 ,  G03F 7/26 512 ,  H01L 21/027
FI (2件):
H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 361 L

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