特許

J-GLOBAL ID：200903066686417111

半導体記憶装置

発明者： 竹尾 公晴
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 玉村 静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056130
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251773
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 必要に応じてブロックライトの書き込み量が変更できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 モードレジスタ(106)にバーストブロックライト動作モードと所望のバースト長が設定され、外部から供給されるカラムアドレス信号を初期値とし、モードレジスタ(106)に設定されたバースト長情報に従い初期値と初期値に連続するバースト長分のカラム選択信号を一括して生成するブロックライト回路(119、120)を備える半導体記憶装置(100)は、一括生成された複数のカラム選択信号によって選択されたデータ線に対して同一データを一括供給することができる。

請求項（抜粋）：

クロック信号に同期してアドレス情報を入力し、データ及び制御信号を入出力する機能を有し、アクセスモード及び入出力データのバースト長が設定されるモードレジスタを備える半導体記憶装置において、モードレジスタに設定されたアクセスモードによって指定された第1のメモリアクセスモードにおいて、ワード線の選択状態を維持したまま、外部から供給されるカラムアドレス情報を初期値として、初期値に連続するように上記バースト長で指定された数のデータ線を選択するためのアドレス情報を順次生成するアドレス生成手段と、モードレジスタに設定されたアクセスモードによって指定された第2のメモリアクセスモードにおいて、外部から供給されるカラムアドレス情報を初期値として、初期値に連続するように上記バースト長で指定された数のデータ線を一括して選択するための情報を生成するデータ線選択情報生成手段と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。