特許
J-GLOBAL ID：200903066692239136
コンタクト構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185619
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜中にボイドを生じさせず、平坦性を確保しつつ、コンタクト構造を得る。【解決手段】 基板1と、基板1の上に形成された配線4を覆うp-TEOSからなる第1層絶縁膜21を堆積する。その後SOG法によって、塗布ガラスである第2層絶縁膜22を形成する。そして基板1とは反対側からエッチバックを行うことにより、第2層絶縁膜22をエッチングする。そして配線4の上方で第1層絶縁膜21の表面21aが露出した時点でエッチングを停止して平坦性を確保する。その後、第2絶縁膜22の上に第3絶縁膜23を積層し、配線4の上部において第3絶縁膜23に対する等方性エッチングを行って開口51を穿つ。この際、等方性エッチングは第2絶縁膜22には及ばない。
請求項（抜粋）：
(a)基板の上に選択的に配線を複数形成する工程と、(b)前記基板及び前記配線を覆い、前記基板とは反対側に露出する表面を有する第1層絶縁膜を形成する工程と、(c)前記第1層絶縁膜上に塗布ガラスたる第2層絶縁膜を形成する工程と、(d)前記工程(c)で得られた構造に対してエッチバックを行って前記配線の上方において前記表面を露出させる工程と、(e)前記工程(d)で得られた構造上に第3層絶縁膜を形成する工程と、(f)前記配線の上方において前記第3層絶縁膜を露出させるパターンを有するマスクを、前記第3層絶縁膜上に形成する工程と、(g)前記マスクを用いて等方性エッチングを行い、前記配線の上方において前記表面を露出させる第1の開口を前記第3層絶縁膜に穿つ工程と、(h)前記第1の開口を介して異方性エッチングを行い、前記第1の開口と連通して前記配線を露出させる第2の開口を前記第1層絶縁膜に穿つ工程と、(i)前記第1の開口及び前記第2の開口を導電材で充填し、前記導電材に接触する他の配線を前記第3層絶縁膜上に形成する工程とを備える、コンタクト構造の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 A
, H01L 21/90 Q
5F033NN32
, 5F033QQ11
, 5F033QQ16
, 5F033QQ19
, 5F033QQ22
, 5F033QQ31
, 5F033QQ37
, 5F033RR04
, 5F033RR09
, 5F033RR13
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033RR23
, 5F033RR25
, 5F033SS04
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033XX00
, 5F033XX01
