特許
J-GLOBAL ID：200903066693499352
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259744
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112121
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、種結晶領域から絶縁層上に横方向に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感圧抵抗体を含む半導体装置において、励起電圧補償法による高精度の温度補償を可能にすることである。【構成】 本発明は上記目的を達成するため、感圧抵抗体4内に結晶亜粒界51が存在しないように感圧抵抗体4を形成する。
請求項（抜粋）：
種結晶領域を有する単結晶半導体基板と、前記単結晶半導体基板上に形成された絶縁層と、前記種結晶領域から前記絶縁層上に横方向に単結晶を成長させることにより形成した単結晶層からなるピエゾ特性を有する感圧抵抗体層とを備え、前記感圧抵抗体層は、その中に結晶亜粒界を含まないように形成されている、半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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