特許
J-GLOBAL ID：200903066696123310
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169121
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226512
出願日： 1994年07月21日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【構成】ソースないしはドレイン領域となる拡散層が第1,第2,第3の拡散層からなる第2の拡散層112,113は第1の拡散層114,115のチャネル形成領域側に隣接し、第3の拡散層110,111は第2の拡散層112,113のチャネル形成領域側に隣接し、第2の拡散層112,113は第1の拡散層114,115よりも浅く高濃度に第3の拡散層110,111は第2の拡散層112,113よりもさらに浅く、形成される。これにより、短チャネル効果を押え、電流の駆動力を向上させる。又、拡散層とゲート酸化膜間のオーバーラップ長を抑えることで、実効チャネル長を確保し、オーバーラップ容量を抑制する。【効果】短チャネル効果を抑制し、電流駆動力を確保し、電極部のコンタクト抵抗ならびにリーク電流の抑制を図る。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、この半導体基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、このゲート電極の側壁に設けられた固相拡散源となる第1の膜と、この第1の膜とは異なり、前記第1の膜の側壁に設けられた固相拡散源となる第2の膜と、前記半導体基板に設けられたソースまたはドレインとなる拡散領域とを備え、前記拡散領域は前記第1の膜の下の半導体基板表面に設けられた第1の領域と、前記第2の膜の下の半導体基板表面に前記第1の領域よりも深く設けられ、前記第1の領域よりも高い不純物濃度を有する第2の領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 H
