特許

J-GLOBAL ID：200903066696727925

半導体装置およびそれを用いた半導体回路

発明者： 小杉 敏彦 ,  柴田 随道 ,  榎木 孝知
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-099976
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297856
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 HEMT素子の持つ周波数分散を抑制する。【解決手段】 第1および第2のHEMT素子21,22で構成する。第1および第2のHEMT素子21,22は共通のチャネル層13をもち、第1のHEMT素子21のソース電極と第2のHEMT素子22のドレイン電極を共通のソース電極17とする。そのソース電極17を接地し、第2のHEMT素子22のソース電極19に印加される電圧をソース電極17の電圧よりも低く設定する。

請求項（抜粋）：

第1および第2のFETから構成され、前記第1のFETのソース電極と前記第2のFETのドレイン電極が共通の端子となっている半導体装置であって、前記第1および前記第2のFETのチャネル層が同一の層で構成されるとともに、前記共通の端子が接地され、前記第2のFETのソース電極に印加される電圧が前記共通の端子の電圧よりも低く設定されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 27/095 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 E

Fターム (13件)：

5F102FA07 ,  5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GA16 ,  5F102GA17 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ06 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01