特許
J-GLOBAL ID：200903066699340932
半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-299141
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135888
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 SI-PBH型あるいはSI-BH型半導体レーザにおいて、電流ブロック領域を流れるリーク電流を減少させ、効率を向上させる。【解決手段】 メサ構造の両側に選択成長される電流ブロック領域を、Feドープされた高抵抗半導体層と、その上に形成されZn拡散の生じにくい非ドープ半導体層とより構成し、その際メサ構造の側壁面に沿った半導体層の成長を、気相成長雰囲気中に、1分子中にCl原子を1つ持つクロロカーボンを添加することにより抑止する。
請求項（抜粋）：
(100)面で画成され、第1の導電型を有する化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の一部に形成され、少なくとも(100)面で画成された基板表面と、前記基板表面上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第2の導電型を有する第1のクラッド層とを含むメサストライプ領域と、前記メサストライプ領域の両側に形成された一対の電流ブロック領域と、前記メサストライプ領域上に、前記一対の電流ブロック領域を覆うように形成された、第2の導電型を有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上に形成された第1の電極と、前記化合物半導体基板上に形成された第2の電極とを含む半導体レーザにおいて、前記電流ブロック領域の各々は、深い不純物元素を含む高抵抗領域と、前記高抵抗領域上に形成され、前記第2のクラッド層中の第2の導電型の不純物元素の拡散を抑止する拡散抑止領域とを含み、前記高抵抗領域と前記拡散抑止領域との境界面が、前記メサストライプ領域の側壁面上において、前記活性層よりも上で、前記メサストライプ領域の上面よりも下側に位置することを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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